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单晶太阳能电池双面抛光工艺研究
  • 216
  • 90
  • 作者

    贾宇龙赵丽敏郭卫

  • 单位

    山西潞安太阳能科技有限责任公司

  • 摘要
    为了去除硅片表面损伤和脏污,提高单晶电池背钝化效果,采用KOH溶液对单晶原硅片进行了双面抛光。研究了刻蚀深度和金字塔尺寸的关系以及KOH质量分数、温度和反应时间对刻蚀深度和金字塔尺寸的影响。研究结果表明:金字塔尺寸随着刻蚀深度的增加而逐渐增大。随着刻蚀温度、时间的增加,溶液腐蚀速率加快,刻蚀深度和金子塔尺寸也有所提升。当KOH质量分数增加至35%时,刻蚀深度和金字塔尺寸反而有所下降。
  • 关键词

    单晶硅片抛光金字塔刻蚀深度

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2017年01期
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