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IGCT门极驱动电路的原理分析
  • 809
  • 作者

    郑小刚谢军

  • 单位

    安徽理工大学机械工程系安徽职业技术学院电气工程系 安徽淮南232001上海铁路局阜阳车辆段安徽阜阳236000安徽合肥230051

  • 摘要
    在目前的中电压大功率应用领域,占主导地位的功率半导体器件有晶闸管、GTO和IGBT等,这些传统的功率器件在实用方面都存在一些缺陷。ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件—IGCT。它的关键思想是将改进结构的GTO与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接。在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件。着重对IGCT门极驱动电路的结构和原理进行了介绍和分析。
  • 关键词

    IGCT门极驱动电路硬驱动

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